電鍍是將電能轉(zhuǎn)化為化學(xué)能的過程，在此過程中，金屬離子獲得電子而還原成金屬原子，金屬原子按一定規(guī)則排列形成具有一定晶粒取向的平滑鍍層。直流電鍍電源正是提供電子的源泉和使金屬原子結(jié)晶的動(dòng)力。因此，電鍍電源設(shè)備是電鍍生產(chǎn)的主要設(shè)備，它與鍍槽和電鍍?nèi)芤号浜弦黄穑纯赏瓿呻婂冞^程。電鍍電源已經(jīng)能夠提供多種形式的電流與波形，賦予了電鍍工藝以新的活力。近些年來，常用直流電源設(shè)備正在不斷更新，特種電鍍電源設(shè)備隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展而有了新的突破，為電鍍工藝研究提供了各種各樣嶄新的電源。
電鍍電源設(shè)備經(jīng)過近半個(gè)多世紀(jì)的演變，才到了今天這種形式多種多樣使用起來比較得心應(yīng)手的狀態(tài)。回顧20世紀(jì)50年代中期，人們還是采用交流／直流發(fā)電機(jī)組或汞弧整流器為電鍍生產(chǎn)提供直流電。在調(diào)節(jié)直流發(fā)電機(jī)的輸出時(shí)，要調(diào)節(jié)交流電機(jī)的轉(zhuǎn)速以改變直流輸出。這種系統(tǒng)由于具有較高的可靠性，曾一度在電鍍領(lǐng)域占統(tǒng)治地位。然而這種系統(tǒng)效率極低，還要采用各種變阻器進(jìn)行槽邊調(diào)壓，電能損耗更大。因此在電力電子技術(shù)誕生后不久便陸續(xù)退出歷史舞臺(tái)。我們姑且將交／直發(fā)電機(jī)組稱之為第一代直流電鍍電源。
電力電子技術(shù)的誕生，硒整流器開始在20世紀(jì)50年代末從歐洲進(jìn)入我國(guó)。不久，隨著大功率硅整流管被大量的工業(yè)化使用，在電鍍領(lǐng)域出現(xiàn)了自耦調(diào)壓加硅整流的直流電鍍電源，即采用自耦變壓器調(diào)節(jié)交流電壓，再以大功率硅管(堆)進(jìn)行整流。這種系統(tǒng)雖然在技術(shù)上比交／直流發(fā)電機(jī)組有了進(jìn)步，輸出直流波形比較平滑，但需要用機(jī)械或人工拖動(dòng)自耦變壓器調(diào)壓，不便遠(yuǎn)程操縱。同時(shí)，其效率沒有太大改善。這可算是第二代直流電鍍電源。

20世紀(jì)50年代后期，晶閘管在美國(guó)的貝爾實(shí)驗(yàn)室誕生，從而給包括電鍍電源在內(nèi)的電力電子行業(yè)帶來革命性的進(jìn)步，出現(xiàn)了以可控硅為核心的直流電鍍電源。
可控硅電鍍電源，在電路結(jié)構(gòu)上主要有兩種形式：一種是利用可控硅在工頻變壓器原邊進(jìn)行調(diào)壓，然后在副邊用硅管多相整流；另一種是直接用可控硅在工頻變壓器的副邊進(jìn)行調(diào)壓整流。不論哪種形式，都是把成熟的調(diào)節(jié)控制電子電路，運(yùn)用到對(duì)可控硅導(dǎo)通角的控制中，使得可控硅電鍍電源的輸出特性大大地優(yōu)于以往的產(chǎn)品。在額定負(fù)載情況下，往往能獲得令人滿意的輸出精度、紋波和效率，特別是在效率上，比過去的產(chǎn)品有了顯著的提高，功率范圍也很寬。這些優(yōu)良的特性使得它一經(jīng)出現(xiàn)，便成為直流電鍍電源的主流，至今國(guó)內(nèi)大量使用的仍以這種電源為主。我們稱之為第三代直流電鍍電源。
隨著人們對(duì)鍍層質(zhì)量和生產(chǎn)過程自動(dòng)化以及要滿足清潔生產(chǎn)過程節(jié)能降耗的嚴(yán)格要求，可控硅電源的缺點(diǎn)越來越明顯。首先，它只能在一定的負(fù)載范圍內(nèi)保證額定精度，而實(shí)際電鍍過程中，大多數(shù)使用的電流都偏離了整流器的額定值，因此，往往難以滿足實(shí)際精度需要。紋波也是如此，只在一定范圍(一般是在滿負(fù)載附近)滿足額定值，這些，都給進(jìn)一步提高產(chǎn)品質(zhì)量帶來困難。其次，由于采用模擬電子線路完成移相控制，當(dāng)它與計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)連接耐，需要的接口電路較繁瑣，很不方便。另外，由于擺脫不了工頻變壓器，使其整機(jī)結(jié)構(gòu)個(gè)大笨重，耗費(fèi)銅材多，而且對(duì)電網(wǎng)的諧波干擾也很嚴(yán)重。
電力電子技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，高頻功率變換技術(shù)得到了越來越廣泛的應(yīng)用，就誕生了第四代直流電鍍電源——高頻開關(guān)電源。高頻開關(guān)電源的工作原理是功率變換。它是功率轉(zhuǎn)移技術(shù)與脈寬調(diào)制技術(shù)相結(jié)合的高技術(shù)產(chǎn)物，是當(dāng)代電力電子學(xué)理論發(fā)展的最新體現(xiàn)。一經(jīng)問世，就受到廣泛關(guān)注并得到空前迅速的發(fā)展。高頻開關(guān)電源較之可控硅電源有著許多無可比擬的優(yōu)勢(shì)：首先在電路結(jié)構(gòu)上，它去掉了可控硅電源的工頻變壓器，采用脈寬調(diào)制方式控制場(chǎng)效應(yīng)管工作，尺寸大幅度減小，質(zhì)量明顯減輕，節(jié)省大量銅材和優(yōu)質(zhì)硅鋼片；可控硅電源全量程的功率因數(shù)為0．7，而高

頻開關(guān)電源則達(dá)到0．90～0．95可控硅電源的輸出脈動(dòng)隨負(fù)載的大小和整流相數(shù)的變化而變化，工作頻率較低，在大電流時(shí)往往不加濾波電路。而高頻開關(guān)電源的輸出脈動(dòng)較小，由于輸出脈沖的頻率很高，所以低通濾波器的體積大幅度減小，這就十分有利于提高電源的輸出紋波特性。從工作效率上看，可控硅電源的工頻變壓器的轉(zhuǎn)換效率通常為85％，再加上整流部分的各種損耗，其在最理想狀態(tài)下效率也只在75％左右。高頻開關(guān)電源的效率一般在80％～90％左右。如果采用先進(jìn)的諧振型開關(guān)電路，則其效率還會(huì)更高。從輸出精度看，可控硅電源在控制角很大時(shí)，調(diào)整能力很差，輸出電壓、電流的精度從半載到滿載時(shí)的理想情況下，方可達(dá)到3％～5％，而且電壓、電流的線性也不夠好，這是由于可控硅電源本身電路的體制造成的。而高頻開關(guān)電源則在全量程范圍內(nèi)精度均可達(dá)到l％以上，甚至可以達(dá)到0．1％?？偟膩砜?。從體積、質(zhì)量、效率、功率因數(shù)、精度、控制電路、工作頻率、保護(hù)功能、功率、帶載啟停、對(duì)電網(wǎng)干擾、節(jié)能節(jié)材等各個(gè)方面比較，高頻開關(guān)電源具有它一系列的優(yōu)越性。它的體積小(只有同功率可控硅整流器的1／3—1／5)；質(zhì)量輕(只有同功率可控硅整流器的l／4)；效率高(可控硅整流器75％左右，高頻開關(guān)電源85％左右)；功率因數(shù)不加校正全范圍0．7，加校正全范圍可達(dá)0．9以上；控制精度在全范圍內(nèi)小于1％或更高，控制電路簡(jiǎn)單，有專用集成控制器；工作頻率高，一般在20kHz～200kHz或更高；保護(hù)反應(yīng)快，只有1ms，且有自恢復(fù)功能；它允許帶載啟停，對(duì)電網(wǎng)的干擾也較小。
目前，高頻開關(guān)電源作為新一代產(chǎn)品，一些中小規(guī)格的電源設(shè)備已經(jīng)得到電鍍用戶認(rèn)同，其市場(chǎng)覆蓋率正Et益擴(kuò)大。大功率高頻開關(guān)電源的單機(jī)容量暫時(shí)還受到器件和材料的限制。但是，隨著電源并聯(lián)技術(shù)的提高，電子器件的發(fā)展，采用多組并聯(lián)的大功率高頻開關(guān)電源，可以替代部分大電流電鍍使用的硅整流設(shè)備，已在電鍍生產(chǎn)中得到實(shí)際應(yīng)用。