場效應(yīng)管工作原理
場效應(yīng)管的工作原理與雙極型晶體管不同，它是利用改變垂直于導(dǎo)電溝道的電場以控制器件的導(dǎo)電能力。這種器件在工作時只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，所以也稱為單極型晶體管。

場效應(yīng)管可分為絕緣柵場效應(yīng)管、結(jié)型場效應(yīng)管和薄膜場效應(yīng)管三種。

按增強或耗盡型和N溝道或P溝道，MOSFET分為四種組態(tài)。各種組態(tài)的MOSFET的基本工作原理和特性類似。

場效應(yīng)管的作用

場效應(yīng)皆是另一種半導(dǎo)體器件。它的最大優(yōu)點是輸人電阻非常髙,因此能滿足髙內(nèi)阻微弱信號源對放大器的要求,是較理想的前置放大級器件。另外，它還具有體積小、重墩輕、耗電省、壽命長、制造工藝簡單、容易集成及噪聲低、溫度漂移較小等優(yōu)點。所以，場效應(yīng)管在低噪聲放大器、儀器儀表、便攜式電子設(shè)備以及模擬和數(shù)字集成電路等方面得到廣泛的應(yīng)用。

場效應(yīng)管與半導(dǎo)體三極管不同，場效應(yīng)管是利用電場效應(yīng)來控制電流的器件。按其結(jié)構(gòu)，場效應(yīng)管可分為結(jié)型和絕緣柵型兩類，其中絕緣柵型應(yīng)用更為廣泛。

絕緣柵型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)是金屬-氧化物-半導(dǎo)體，簡稱為MOS管。MOS分別是metal-oxide~semiconductor的第一個字母。MOS管可分為N溝道與P溝道兩種，每一種又可分為增強型與耗盡型兩種形式。木節(jié)將以N溝道為例，說明絕緣柵型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理。