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硅片的制備,切片磨片和拋光方法簡介
粗磨:用熔化的石蠟和松香(2:1)將硅圓片平整地粘附在鋁板上,冷卻后,輕輕地括去鋁板和硅片上多余的石蠟松香。然后,在玻璃板上用303號金剛砂加一些水研磨之。粗磨的主要目的是把各個硅片都研磨到同一平面上。因此,粗磨到各片都處于同一平面時,即可轉(zhuǎn)入細磨。
細磨:粗磨后各片都處于同一平面了,但是,粗磨磨料的顆粒度很大,粗磨后的硅表面還是比較粗糙的,如果馬上進行拋光的話,需要很長的時間,才能拋好。細磨就是用顆粒度較小的磨料研磨硅片,使之表面光滑些,從而縮短拋光時間。細磨前先要用自來水沖洗去粗磨的金剛砂,再用305號顆粒度較小的金剛砂研磨之。細磨后的硅片表面應無劃痕。
粗拋:用自來水沖掉片子上殘留的金剛砂,然后裝在拋光機上進行拋光。拋光液為1:75的氧化鎂水溶液,拋光布用呢或氈都可以。拋光時間一般為四至五小時。
細拋:用絲絨拋光五至六小時。
拋光結(jié)束后,用自來水沖洗片子,徹底地清除片子上殘存的氧化鎂,然后再用熱水熔化石蠟松香,使片子從鋁板上脫落下來。隨即用洗液燒煮數(shù)次,然后,再用大量去離子水沖洗,最后進行干燥,仔細保藏。
良好的拋光表面應是光亮如鏡,并且無劃痕、麻點、桔皮、倒角等毛病。
氧化鎂拋光液呈很弱的堿性,對硅片有微弱的腐蝕作用。溫度較髙時,腐蝕作用加劇會產(chǎn)生泡沫,影響拋光質(zhì)最。所以,在炎熱的夏天拋光時,氧化鎂要用冰冷卻。在常溫,氧化鎂對硅片的腐蝕作用雖很弱。但是,如果拋光后殘留的氧化鎂未沖洗掉,時間一長,也會對硅片表面產(chǎn)生腐蝕作用。因此,一定要將拋光后殘留的氧化鎂沖洗干凈。
本文標簽:半導體
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