MOS場效應(yīng)管的磷處理是指，對二次氧化生長的二氧化硅進(jìn)行處理。那么為什么要加這一道工序呢？

MOS場效應(yīng)管與普通的雙極晶體管相比，它具有許多優(yōu)點(diǎn)。但是，它也有美中不足之處，例如：早期的MOS場效應(yīng)管，在使用的時候，特性會發(fā)生漂移。研究表明,早期的MOS場效應(yīng)管的漂移現(xiàn)象是由于二氧化硅絕緣柵里面的鈉離子作怪的結(jié)果。MOS場效應(yīng)管的漏源飽和電流將隨著溝道的變厚而增大，而溝道的厚薄又會受到氧化層中的正電荷數(shù)目及其分布的影響。由于鈉離子的移動，就會使溝道的厚薄發(fā)生變化，從而使飽和電流發(fā)生變化（致使管子發(fā)生漂移)。氧化層中的鈉離子可能是氧化過程中引進(jìn)的，也可能是氧化之后，從疏松的氧化層表面鉆進(jìn)去的。氧化層經(jīng)過磷處理之后，就會在氧化層表面形成一層含有五氧化二磷的磷硅玻璃。我們將在第六章中看到，由于磷硅玻璃的存在，MOS場效應(yīng)管的穩(wěn)定性將會提高。
磷硅玻璃層中的五氧化二磷的濃度不可太髙，太高了會由于磷硅玻璃層中五氧化二磷的極化作用的影響，反而使器件的性能發(fā)生漂移。有人做過實(shí)驗(yàn)，105埃厚含有百分之四的五氧化二磷的磷硅玻璃就足以防止外界l0的12次方/厘米3鈉離子沾污十年。可見,磷處理時，只要形成很薄的含有五氧化二磷的磷硅玻璃就行了。

磷處理的裝置和磷擴(kuò)散的裝置相同，而且采用的磷源也相同。不同的是，磷處理的時候，爐溫較低，只有860攝氏度左右，時間較短，只需10分鐘(通源5分鐘，吹氮5分鐘)就夠了，而且只用氮?dú)鈹y帶而不通氧氣。對二次氧化生長的二氧化硅，不需淸洗便可直接送進(jìn)石英管進(jìn)行磷處理。

生產(chǎn)實(shí)踐證明：合理的磷處理，確實(shí)可以提高M(jìn)OS場效應(yīng)管的穩(wěn)定性。當(dāng)然，不適當(dāng)?shù)牧滋幚?，不但會使MOS場效應(yīng)管的性能變壞,而且還會帶來較大的噪聲和降低直流輸入阻抗。