化學復合鍍是在金屬的自催化過程中，惰性粒子與金屬共同沉積在基體表面，形成復合材料鍍層的表面處理工藝技術。與電沉積復合鍍相比，化學復合鍍問世較晚，1966年第一次制備了Ni—P／A1，0，化學復合鍍層。最先獲得實際應用的化學復合鍍是Ni—P／SiC，主要用于提高發(fā)動機鋁汽缸內(nèi)壁的耐磨性。自20世紀70年代以來，盡管化學復合鍍技術在歐洲、美國和日本獲得發(fā)展和應用，但至今仍有許多問題沒有解決，其中鍍液的穩(wěn)定性和使用壽命是化學復合鍍的最大問題。目前常用的化學復合鍍可分為兩類，第一類為軟質點的自潤滑鍍層，另一類為硬質點的耐磨鍍層。一、軟微粒的自潤滑化學復合鍍層在Ni—P化學鍍鎳溶液中添加PTFE，氟化石墨，CaF2和MoS等，可得到具有低摩擦系數(shù)、抗粘著磨損的自潤滑復合鍍層。自潤

化學鍍鎳層均勻致密，具有較好的耐磨性、耐蝕性以及一些特殊的物理性能，如電阻率高、電阻溫度系數(shù)小等，因而在機械、電子、化工等領域獲得成功而廣泛的應用，但隨著其應用領域的進一步擴大，它的某些性能仍有待提高。而通過合金化的方法，能調(diào)整和改變材料的微觀結構，從而改善其物理化學性能，甚至獲得一些新的特性。為此人們研究在二元體系中加入某種新的金屬成分，來得到多元合金鍍層。其中應用較多的是Ni—P體系中加入第三種金屬。能夠進行Ni—Me—P化學復合鍍的基體很多，鋼鐵、銅和銅合金、鋁和鋁合金、鎂和鎂合金，及一些經(jīng)過活化處理的塑料等?；瘜W鍍Ni—Me—P多元合金層，既可以從酸性溶液中獲得，也可以從堿性溶液中獲得?；瘜W鍍?nèi)芤褐?，加入金屬Me鹽后，必須不斷實驗，確定出最佳的溶液組成和工藝參數(shù)。一、化

轉化膜處理件的烘烤轉化膜處理件的老化溫度一般在６０-５０攝氏度，時間１０min左右，溫度過高，時間過長都會引起膜層氧化變色、發(fā)脆、出現(xiàn)裂紋、防護性能隨之降低。夏季在烈日下曝曬過的轉化膜處理件無需再烘烤處理。

化學鍍鉑用得不多，可用肼和硼氫化鈉做還原劑。(一)用肼作還原劑的化學鍍鉑肼作還原劑的化學鍍鉑溶液(g·L-1)(二)用硼氫化鈉作還原劑的化學鍍鉑硼氫化鈉作還原劑的化學鍍鉑溶液(g·L-1)

化學鍍鈀常用于通訊工業(yè)中的電接觸和連接器方面，亦可作為金的替代品。化學鍍鈀可以自發(fā)地鍍在銅、黃銅、金或化學鍍鎳層上。銅合金制件上化學鍍鈀前，應在25℃下浸入氯化鈀的活化溶液(PdCl20．1g·L-1，HC1(38％)0．5mL·L-1)活化。在玻璃和塑料上化學鍍鈀，亦應先浸人與化學鍍鎳相同的氯化亞錫溶液中敏化，然后在氯化鈀溶液中活化。鈀的催化活性強，可用肼、次磷酸鹽、甲醛和硼烷作還原劑進行自催化沉積。(一)用肼作還原劑的化學鍍鈀(=)用次磷酸鹽作還原劑的化學鍍鈀(三)用胺硼烷作還原劑的化學鍍鈀二甲基胺硼烷(DMAB)在還原Ni和cu時是合適的，但鍍鈀時因其還原能力太強，而改用叔基胺硼烷，否則會影響鍍液的穩(wěn)定性。

電鍍件的烘烤電鍍件經(jīng)過預干燥后即可進行老化烘烤。工件進入烘箱時應同時開啟鼓風機并打開頂部的排氣孔，便于箱內(nèi)空氣流通并把潮濕氣體排出箱外，箱內(nèi)溫度和烘烤時間需視不同鍍（涂）層品種而有所區(qū)別。電鍍件烘烤時溫度可高一些，但也不宜過高，否則鍍層表面若有未洗凈的鹽跡，該處會出現(xiàn)難以擦刷的焦糊、變色，通常控制在１００-１２０攝氏度，烘烤１０miin左右即可。

電鍍廢水淀粉廢水果汁廢水含鉛廢水合成革廢水化工廢水化纖廢水焦化廢水酒精廢水垃圾滲濾液磷化廢水農(nóng)藥廢水啤酒廢水生活污水印染廢水制藥廢水 屠宰廢水

隨著電子工業(yè)和空間技術的發(fā)展，特別是近年來IP和印制線路板工業(yè)的發(fā)展，化學鍍金工藝獲得了越來越廣泛的應用。如半導體的管芯、管座、印制線路板的插足，集成電路框架的引線，繼電器的防腐導電面和觸點?；瘜W鍍金層的化學穩(wěn)定性高，可防止金屬腐蝕和接觸點的表面氧化，以保持較好的導電性、耐磨性和焊接性。金的薄膜能透過可見光，能反射紅外線和無線電波，因而能制成光線選擇過濾器及無線電波反射器。金的標準電極電勢為1．68V，許多還原劑都能將它還原?；瘜W鍍金常用的還原劑有硼氫化物，DMAB，次磷酸鹽和肼。其中硼氫化物，DMAB和肼這些還原劑還原Au(CN)f是自催化過程，而次磷酸鹽還原Au(CN)f卻不是自催化過程。化學鍍金溶液可分為氰化物體系和非氰化物體系兩大類，前者更為常用。

化學鍍錫及其合金層由于具有良好的可焊性，并具有一定耐蝕性，因此在電子元件、印制線路板等領域獲得廣泛應用。(一)浸鍍(置換鍍)錫浸鍍錫目前只能在鋼鐵、Cu及其合金和Al及其合金上進行。鋼絲上浸Sn或Cu-Sn合金可改善拔絲潤滑性，一些小商品則達到提高表面色澤的目的。銅的標準電極電勢(φ0Cu2+／Cu=0．34V)比錫正(φ0Sn2+／Sn=-0．14V)，因此從熱力學分析，銅基體上是不能置換出錫的。要實現(xiàn)銅基體上的浸鍍錫必須加入cu2+離子的配位體，如硫脲和氰化物等，使銅的電極電勢大幅度負移。(二)化學鍍錫用于化學鍍Ni或cu的還原劑如次磷酸鹽、硼氫化鈉、二烷基硼烷、肼、甲醛等均不能用來還原Sn。原因是sn是高析氫過電勢金屬，而上述還原劑在化學鍍的沉積

1962年R．D．Fisher報告了電鍍鈷的磁特性作為高密度磁記錄器鍍層，引起廣泛的重視，隨之研究化學鍍鈷作為強磁性薄膜。鈷的標準電極電勢為-0．28V，比鎳的-0．25V負，在用次磷酸鹽做還原劑的酸性溶液中C0的沉積速度很慢，甚至得不到鈷的鍍層。只有在堿性溶液中才能有合適的沉積速度?；瘜W鍍鈷的機理與化學鍍鎳相類似?；瘜W鍍鈷通常采用檸檬酸鹽、酒石酸鹽和銨鹽為配位體。配位體除能防止產(chǎn)生堿性鹽沉淀外，會對鍍液的沉積速度和鍍層性能產(chǎn)生影響。ph值調(diào)整劑采甩氨水，不采用氫氧化鈉，因為后者會使鍍液的沉積速度變慢。(二)化學鍍鈷溶液的配制用純水溶解計算量的配位體，然后在攪拌下加入溶解好的鈷鹽，若出現(xiàn)混濁，繼續(xù)攪拌至全部溶解，然后加入溶解好的次磷酸鹽，加純水接近總體積，然后用氨水調(diào)節(jié)pH